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Susan Hong
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By Susan Hong| EDN Taiwan@ 作者 : MSScorps 三星搶先採用GAA架構量產3nm，透過電性測量與分析來觀察它如何以背閘偏壓調控設計與製程優化達成低功耗… 近年來，先進邏輯電晶體製程已進入了嶄新發展階段，從鰭式電晶體(FinFET)轉型為環繞式閘極電晶體(GAAFET)。在全球主要的晶圓代工廠中，韓國的三星(Samsung)表現尤為積極，並於2022年率先推出了第一代3nm MBCFET製程技術，台積電(TSMC)則計劃在今年量產其第一代2nm奈米片電晶體(Nanosheet FET)。 相較於發展多年且相對成熟的FinFET製程，GAAFET架構的複雜性更高，尤其是在晶片前段的電晶體製程中，將面臨更多技術挑戰，為了實現更高且穩定的良率，讓晶圓代工廠具備結構性的獲利能力，將考驗工程師在調校製程參數的能力。在此過程中，電晶體製程與性能的優劣，可以透過材料分析及電性量測加以評估。 我們先前曾經針對Samsung...
By Susan Hong| EDN Taiwan@ 作者 : Cor van Rij 只需兩顆電晶體與少數元件，即可實現可調頻率的正弦波振盪器，適合資源有限或需簡潔設計的應用...
By Susan Hong| EDN Taiwan@ 作者 : MSScorps 三星搶先採用GAA架構量產3nm，透過電性測量與分析來觀察它如何以背閘偏壓調控設計與製程優化達成低功耗… 近年來，先進邏輯電晶體製程已進入了嶄新發展階段，從鰭式電晶體(FinFET)轉型為環繞式閘極電晶體(GAAFET)。在全球主要的晶圓代工廠中，韓國的三星(Samsung)表現尤為積極，並於2022年率先推出了第一代3nm MBCFET製程技術，台積電(TSMC)則計劃在今年量產其第一代2nm奈米片電晶體(Nanosheet FET)。 相較於發展多年且相對成熟的FinFET製程，GAAFET架構的複雜性更高，尤其是在晶片前段的電晶體製程中，將面臨更多技術挑戰，為了實現更高且穩定的良率，讓晶圓代工廠具備結構性的獲利能力，將考驗工程師在調校製程參數的能力。在此過程中，電晶體製程與性能的優劣，可以透過材料分析及電性量測加以評估。 我們先前曾經針對Samsung...
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